在近期出版的Advanced Functional Materials上，刊登了我校物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室杨德政副教授及其合作者的共同研究成果：“A large magnetoresistance effect in p-n junction devices by the space-charge effect”（Adv. Funct. Mater. 23, 2918 (2013)）。 自1940年以来，p-n结电场整流效应的发现已经成为现代半导体工业的一个里程碑，被广泛应用于（如二极管，三极管，集成逻辑电路等）半导体器件中。最近利用磁场洛伦兹力来代替传统电场驱动p-n结的空间电荷区，杨德政副教授及其合作者成功发展了一种基于非磁性材料的硅基p-n结磁电阻器件。实验表明，在磁场5 T，工作电压6 V， p-n结器件室温磁电阻变化率可以达到2500％， 这远远大于目前传统磁性材料的磁电阻室温变化率（～10％－600％）。在100 K时其p-n结磁电阻变化率甚至可以达到 25000％。该p-n结的硅基器件不仅显示高的磁阻变化率，而且具有小的尺寸（150 ?m）和低的工作电压（6 V）。这一研究成果得到国内外同行和审稿人的高度评价，被先进功能材料编辑推荐作为亮点工作报道在其杂志新闻网站 MaterialsViews.com。由于p-n结是当代电子器件的基础元件，因此p-n结中巨大磁电阻效应的发现将有可能实现传统的半导体器件和新兴的磁电子器件的结合，为新型磁电器件的发展提供重要参考。

这一工作是磁学与磁性材料教育部重点实验室杨德政和合作者王方聪，任杨，左亚路，彭勇，周仕明，薛德胜共同完成，也是去年物理科学与技术学院获批教育部创新团队以来合作研究的一个主要成果。该研究工作同时得到了国家自然科学基金委和兰州大学“中央高校基本科研业务费”专项资金的经费支持。

新闻背景：

Advanced functional materials（先进功能材料）创刊于2001年, 由德国Wiley-VCH出版社出版，当前影响因子为10.17，综合报道世界各研究小组最新、且对材料科学研究领域有广泛影响的研究成果，是材料研究领域主流学术杂志之一。