我院祁菁副教授和美国加州大学河滨分校Jianlin Liu教授研究组最近合作在氧化锌阻变存储研究领域取得重要进展，在纳米材料领域一流学术期刊ACS Nano（2010年影响因子9.865）发表文章一篇（ACS Nano, 6, 1051 (2012)），是我校在该领域取得的一项可喜进展。 阻变随机存储器（RRAM））因具有结构简单、存储单元尺寸小（可小至几纳米）、存取速度快（几个纳秒）、功耗低并可利用半导体工厂已有工艺加工制造等优势，有望在32 nm节点及以下取代现有主流flash存储器，成为下一代存储技术的核心。然而，忆阻存储器仍存在转变参数离散性大，工作电流较高，工作机理不清楚等问题。廉价，无毒，制备方法多，对生长设备、生长温度及衬底的要求低，与CMOS工艺兼容的ZnO材料具有优异光、电、热等特性，且其成份简单、易于进行忆阻特性物理机制分析。祁菁副教授与Jianlin Liu教授及该研究组成员Mario Olmedo等人合作，通过分子束外延制备了直径和高度分别分布在30 nm和40 nm左右的ZnO单晶纳米岛，采用导电原子力显微镜（C-AFM）探针作为顶电极测量了纳米岛的忆阻特性，并对其机理进行了初步的探讨。该研究不仅实现了30 nm小尺寸ZnO基忆阻存储单元，而且结果表明ZnO忆阻存储器还有进一步缩小到5 nm以下的潜力，其忆阻特性由分布在晶粒表面、由氧空位组成的纳米导电丝控制。

此项研究得到了中国国家自然科学基金、the Microelectronics Advanced Research Corporation (MARCO) and its Focus Center on Function Engineered Nano Architectonics (FENA), the DARPA/Defense Microeletctronics Activity (DMEA)的支持；并得到Physical Electronics，Applied Technology Training Center at San Bernardino Community College District及Calit2Microscopy Center and Materials Characterization Center at Calit2, UCI在测试方面的帮助。全文地址：http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn204809a