南京大学吴镝教授做客我院第三十一期“格致`创新”论坛

发布日期:2018-11-01 作者:null    编辑:    来源:6163银河net163am

2018年10月19日,应6163银河net163am与萃英学院的邀请,南京大学6163银河net163am吴镝教授来访我校,期间做客6163银河net163am“格致`创新”论坛,并在本部格致楼3016报告厅作了关于磁性绝缘层上的导电薄膜中自旋-轨道磁电阻观察和纯自旋流探测的报告。

报告第一部分介绍了在铁磁共振以及自旋玻激发条件下发导电高分子膜和微米级磁性绝缘体(YIG)组成的双层膜中纯自旋流的探测以及直流电压产生的物理机制。实验发现YIG面内温度梯度与直流电压有着相同的角度依赖关系,并且当YIG厚度减小至几个纳米时,两者一同消失。因此该直流电压被认为受高分子聚合物中的Seeback效应调控,其温度梯度来自于YIG中的非互易的静磁自旋表面波传输。报告第二部分介绍了在磁性绝缘体和普通金属薄膜构成的双层膜(Cu[Pt]/YIG)中观察到一种新型的自旋-轨道磁电阻(SOMR)。这种新型的磁电阻显然不是来自于块体自旋-轨道相互作用,因为Cu的自旋-轨道相互作用可忽略不计而且Cu和YIG界面上分布着纳米尺度的金属Pt岛,这些Pt岛是的不连续的。当界面处没有不连续Pt岛或者Pt岛远离Cu/YIG界面时,SOMR也跟着消失,因此SOMR的存在可归因于Cu/YIG界面处的Rashba 自旋-轨道相互作用,且Pt岛的存在增强了这种效应。实验所得SOMR结果的磁场角度以及Cu厚度依赖关系与数值玻尔兹曼模拟结果一致。这一发现证实了可通过界面效应来操控自旋的可行性。

报告结束后,参加报告会的老师和同学积极提问并就各自感兴趣的问题与吴镝教授进行热烈且广泛的交流,获益匪浅。