应物理科学与技术学院和萃英学院邀请，中科院物理所韩秀峰研究员于4月23日来我校学术交流并做了题为“自旋电子学材料、物理与器件研究进展”的学术报告。
该报告简述了新型磁性隧道结材料制备研究、隧穿磁电阻(TMR)效应、基于量子阱态的自旋共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应和新型磁子阀效应等物理研究，并简要介绍磁性隧道结(MTJ)及其隧穿磁电阻效应(TMR)和新型磁子阀及其磁子阀效应等在自旋电子学核心器件方面的重要代表性应用与研发进展，例如自旋存储器/磁随机存储器(MRAM)、自旋逻辑/磁逻辑、TMR磁敏传感器、自旋共振隧穿二极管以及一类基于磁子流的新型磁子阀和磁子结等关键器件等。
