主讲人：牛晓滨教授（电子科技大学）
题目：二维材料及其异质结构的CVD生长机理研究
时间：2022年06月20日下午15：00-16：00
地点：腾讯会议号：697-154-800
邀请人：靳志文
报告摘要：
以石墨烯，六方氮化硼为代表的二维材料及其异质结构由于其独特的电子结构等新奇物理化学性质被认为是新一代电子器件材料的有利候选。为了能够实现新一代二维电子器件的量产，二维材料及其异质结构的生长手段需要满足大面积，高质量，低成本以及形貌和层数可调的要求。化学气相沉积法（CVD）是低成本生长大面积高质量二维材料的主要手段。然而，CVD方法中复杂的物理化学环境以及衬底的自限制效应为生长过程中二维材料的形貌和层数的精确调控带来了困难。为了实现二维材料及其异质结构的可控生长，加快新一代二维电子器件的产业化进程，我们以石墨烯、六方氮化硼为代表，主要研究了CVD方法中衬底形貌，生长气氛，外置催化剂对二维材料及其异质结构的形貌、层数、生长模式的调控关系。该工作加深了对二维材料及其异质结构生长机制的理解，扩展了生长形貌，层数，异质结堆叠的调控手段，促进了新型二维电子材料和器件的相关发展和实际应用。
个人简介：
牛晓滨，教授、博导、材料与能源学院副院长。加州大学洛杉矶分校材料科学博士，中国科学技术大学物理学硕士、学士。国家“青年人才”、中国工程前沿杰出青年学者、四川省千人、四川省学术与技术带头人、成都市蓉漂计划专家。现任英国皇家化学会会士、四川省普通本科高等学校教学指导委员会委员、四川省专家评议（审）委员会委员、电子科技大学学术委员会委员。主要工作为低维材料及其异质结构的可控生长、物性研究及其在能源转换与存储和光电信息器件等领域的应用。承担有科技部重点研发计划课题、国家自然基金、国防科技创新特区培育项目等国家级、省部级、横向项目，科研经费近2000万，取得了系列创新性研究成果，在Physical Review Letters、Materials Today、Advanced Energy materials等物理、材料类学术期刊上发表论文百余篇，其中一作及通讯作者60余篇，申请专利30余项，授权10余项，其中美国专利1项。
