题目：面向类脑计算的二维铁电存储器件

报告地点：理工楼1226

报告时间：2023年4月12日上午9:00

邀请人：张森富

摘要：

随着人工智能、物联网和大数据的到来，海量数据需要在极短的时间内处理并保存，因而数据不停地穿梭于计算与存储单元，给主流的冯诺依曼架构计算机带来严峻的速度与能耗挑战。为解决此问题，新的计算范式应运而生，例如类脑计算(Neuromorphic Computing)和存算一体(In-memory Computing), 这些技术能够模拟人类大脑的工作模式，在同一器件中实现计算与存储的完美融合，从而有望降低运行功耗并提高计算速度。新兴的二维铁电存储器件，给类脑计算和存算一体的硬件实施，提供了全新的希望与方向，因为它们有出众的极限缩微、多功能传感、超快运行速度、稳定阻变等特性。本报告将以层状三硒化二铟铁电材料为范例，介绍我们在二维铁电存储器件的器件物理、极限缩微、新器件结构与功能等方面的持续探索。

介绍：

薛飞，浙江大学杭州国际科创中心科创百人研究员(求是科创学者)，浙江大学微纳电子学院兼聘研究员。2011年中国地质大学(北京)学士，2017年中国科学院大学(导师王中林院士)博士，2017到2021年沙特阿卜杜拉国王科技大学博士后(导师李连忠教授和张西祥教授)。主要从事信息存储与感知器件的研究，聚焦在二维铁电材料与器件、压电电子学器件等领域。近几年在Nature Electronics等国内外知名杂志上发表文章29篇，其中第一或通讯作者论文包括Science Advances、 Nature Communications、 Matter、 Applied Physics Reviews、 Advanced Materials (4)、 Advanced Functional Materials (3)、ACS Nano (2)、IEEE-TED等，单篇他引超140次的一作论文4篇。申请中国专利5项，授权4项。国际期刊Microelectronic Engineering (Elsevier) 副主编，2022 Vebleo Fellow。入选杭州市西湖明珠海外高层次人才、杭州市C类省级领军人才。