应磁学与磁性材料教育部重点实验室、物理科学与技术学院暨电镜中心邀请，中国科学院物理研究所于国强特聘研究员将于2018年4月11日-2018年4月14日来我校进行学术合作交流并做学术报告，欢迎参加！

报告人：于国强研究员

报告题目：室温磁性斯格明子的产生、操控及在器件设计中的应用

报告时间：2018年4月12日（星期四）上午10:30

报告地点：齐云楼620报告厅

报告摘要

磁性斯格明子由于具有拓扑保护、尺寸小、驱动电流密度低等优异的属性，有望成为未来高密度、高速度、低功耗磁存储和逻辑功能器件的信息载体。为了实现器件的基本功能，人们需要能够在室温下产生、操控以及探测斯格明子。该报告将简述作者最近的研究进展，包括：(1)证明可以通过控制磁性薄膜材料垂直磁各向异性实现室温斯格明子；(2)在基于反铁磁的薄膜异质结中实现了室温、零磁场下稳定存在的斯格明子；(3)制备出一种室温斯格明子纳米结构，能够利用电学方式产生和操控可控数量的斯格明子。最后简要介绍一下目前有关斯格明子研究中尚待解决的问题。

于国强研究员简历

中国科学院物理研究所“特聘研究员”、博士生导师。2007年本科毕业于吉林大学，2012年在中国科学院物理研究所获博士学位。2012至2017年在美国加州大学洛杉矶分校从事自旋电子学研究。2017年获中科院“百人计划”资助；2018年获批中组部国家特聘教授。主要从事“薄膜材料的自旋轨道力矩和室温斯格明子”研究。发表SCI学术论文50余篇；获中国发明和国际专利授权11+9项；做国际会议邀请报告3次。