应6163银河net163am与萃英学院的邀请，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所刘雷研究员来访并做客6163银河net163am“格致·勤学”论坛第九期，欢迎广大师生届时参加！

题目：氧化物半导体光电材料的能带调控

Band Engineering of Oxide Semiconductor Materials for Optoelectronics

时间：2018年11月28日14:30

地点：天山堂A103

摘要

半导体材料的光电学性质取决于其电子能带结构。深入研究材料的电子能带特征，并进一步优化调整，是能否实现半导体材料先进光电功能的关键因素。报告将汇报晶格无序在优化二氧化钛的能带结构及提高对太阳光吸收和转化能力的应用，也将分析点缺陷电子行为及其关键参数表征对实现氧化锌的高效p-型掺杂的影响.

References:

1. X.B. Chen, L. Liu, P. Y. Yu, S. S. Mao*, Science 331, 746-750 (2011).

2. Lei Liu, et. al, Physical Review Letters, 108, 215501, (2012).

3. L. Liu, P. Y. Yu, X.B. Chen, S. S. Mao, D. Z. Shen, Physical Review Letters, 111, 065505 (2013).

4. L. Liu*, X. B. Chen*, Chemical Reviews, 114, 9890-9918, (2014).

刘雷个人简介

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员，主要从事半导体光电材料的能带结构、缺陷杂质性质的分析及表征研究，致力于以能带工程手段提高半导体材料与器件的电光及光电转化效率。

2010年，入选中国科学院“百人计划”，并于2016年终期评估获优秀；2011年，被评为2011年吉林省百名高层次创新创业引进人才；2015年，获得国家杰出青年基金资助；2015年，入选吉林省第五批拔尖创新人才第一层次；2016年，获聘中国科学院特聘研究员；现为中国物理学会发光分会委员。