报告主题：《磁子自旋电子学及其关键器件的研究进展》

报  告 人：中国科学院物理研究所  韩秀峰 研究员

报告时间：2018年4月11日(星期三) 14:30

报告地点：榆中校区天山堂A202

报告摘要：

自旋电子学是基于电子的自旋、轨道和电荷自由度，研究电子自旋相关输运性质以及自旋与磁、光、电、力、热、声等物理场之间相互作用的新兴学科。21世纪将是自旋电子学交叉学科蓬勃发展和自旋电子器件深入开发及

广泛应用的黄金时期。自旋电子器件将对计算机、物联网、人工智能、工业与民品、航空航天、深海探测、心磁脑磁成像与医疗检测、信息科学和技术等众多领域的关键技术发展起到升级换代的推动作用。该报告将简述新型磁性隧道结材料制备研究、以及隧穿磁电阻(TMR)效应、基于量子阱态的自旋共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应和新型磁子阀效应等物理研究，并简要介绍磁性隧道结(MTJ)及其隧穿磁电阻效应(TMR)和新型磁子阀及其磁子阀效应等在自旋电子学核心器件方面的重要代表性应用与研发进展，例如自旋存储器/磁随机存储器(MRAM)、自旋逻辑/磁逻辑、TMR磁敏传感器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管以及一类基于磁子流的新型磁子型关键器件等。

报告人简介：

韩秀峰，中科院物理所研究员、博士生导师。1984年毕业于兰州大学、1993年在吉林大学获博士学位。1998至2002年分别在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院等处从事自旋电子学研究。2000年获中科院“百人计划”资助；2003年获国家杰出青年基金资助；2007年获国家基金委创新研究群体基金资助；2007年获“新世纪百千万人才工程国家级人选”；主持和完成过国家基金委的重点基金和重大国际合作基金项目、及科技部国家重点研发计划项目、重大科学仪器装备项目和国家国际科技合作专项等。现任国际期刊JMMM的副主编、SPIN等杂志的编委、PRL等国际70余种SCI学术期刊杂志邀请审稿人。

主要从事“自旋电子学材料、物理和器件原理”研究，包括：磁性隧道结材料和隧穿磁电阻效应、磁纳米异质结构及相关自旋量子效应、以及新型磁随机存取存储器(MRAM)、磁电阻磁敏传感器、磁逻辑/自旋逻辑、自旋纳米振荡器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管、自旋场效应管和自旋晶体管等器件。发表SCI学术论文300余篇；获中国发明和国际专利授权70+10项；有国际会议邀请报告70余次；主编《自旋电子学导论》、参与撰写《Handbook  of Spintronics》等其他4部专著。与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存取存储器(MRAM)原理型演示器件、新型磁子阀、非易失多功能可编程自旋逻辑单元、自旋共振隧穿二极管和自旋发光二极管原型器件、一种高灵敏度磁敏传感器中试型器件等；有关“新型纳米环磁随机存取存储器的基础性研究”获2013年度北京市科学技术一等奖。