应磁学与磁性材料教育部重点实验室、兰州大学电镜中心和物理科学与技术学院邀请，浙江大学电镜中心金传洪教授、中科院苏州纳米所张子旸研究员及华东师范大学物理与材料科学学院詹清峰教授将于2018年11月29日-2018年11月30日来我校进行学术交流并做学术报告，欢迎参加！
报告具体安排如下：
一、报 告 人：金传洪教授
报告题目：利用先进电子显微成像技术揭示二维材料缺陷物理、晶界结构和生长机理
报告时间：2018年11月29日（星期四）下午16:00
报告地点：格致楼3016报告厅
报告摘要：二维半导体材料家族因其原子级平整的表面、原子层厚、可调的带隙等特征，在微电子学、光电子器件等方面具有重要的应用前景，而这类材料的缺陷检测、可控生长等则是其中的重要问题。在本报告中，我们将利用先进电子显微成像和谱学技术，在不同的尺度对二维材料的缺陷物理、晶界结构与调控以及生长机理方面进行探索。考虑到代表性，分别选取了二硫化钼(MoS2)和六方氮化硼(hexagonal boron nitride)作为典型体系予以阐述。
报告人简介：金传洪，浙江大学教授。中组部“国家特聘教授”、基金委“优秀青年基金”获得者。2006年博士毕业，师从电子显微学家-彭练矛教授；2006-2011年在日本AIST纳米管研究中心工作，与Sumio Iijima教授一起合作开展碳纳米管的微结构表征和生长机理研究。2011年5月进入浙大工作，主要从事利用电子显微成像和谱学技术，揭示低维半导体材料的原子和电子结构，重点是缺陷物理、生长机理和结构调控等相关研究工作。兼任中国晶体学会理事、Materials Express杂志副编辑。在Nature Nanotechnology，Nature Materials，Physical Review Letters，Nano Letters等期刊发表学术论文数十篇。
二、报 告 人：张子旸研究员
报告题目：近红外、中红外量子点/量子级联宽谱光源的研究
报告时间：2018年11月30日（星期五）下午15:00
报告地点：格致楼3016报告厅
报告摘要：宽光谱超辐射光源是一种低成本、高可靠性的非相干宽谱光源，兼有激光器的高功率和发光二极管的宽谱特性，是光学相干层析成像（OCT）的核心光源。目前利用近红外宽谱光源的OCT系统已经有了很广泛的临床应用。但是受限于目前宽谱光源的带宽，OCT的像的分别率只有10微米左右。如果能得到超过250nm的宽谱，那么就将实现1-2微米的超高分辨率，必将会为OCT对疾病的诊断和预防带来巨大的突破。另外，如何将现已有、较成熟的近红外OCT技术拓展至中红外波段，是国内外研究小组的另一个急需攻克的研究方向。这是因为近红外光对人体内的胶原蛋白、脂质、葡萄糖等物质吸收非常弱、难以呈现准确清晰的像，而中红外光却有几个量级的提高，所以实现中红外OCT系统成像有着重要的科研价值和巨大的临床应用前景。最近，我们分别利用半导体量子点和量子级联结构作为有源区，通过优化材料的外延生长和器件波导结构工艺，得到了高性能的谱宽>300nm的近红外光源和第一支室温连续工作的中红外宽谱光源。这一研究为提高近红外OCT系统的功能，实现中红外OCT成像系统奠定了材料和器件基础。
报告人简介：张子旸博士、中科院苏州纳米所研究员、博士生导师、国家特聘教授、博士毕业于中科院半导体所，毕业后先后在日本东京工业大学、加拿大阿尔伯塔大学和英国国家三五族半导体中心工作，主要从事半导体材料和发光器件的研究工作，期间曾获“Japan Science and Technology”研究员称号、荣获了加拿大阿尔伯塔杰出研究基金--“Alberta Ingenuity Fellowship”。回国后入选了江苏省创新创业人才、苏州园区海外高层次领军人才、苏州园区科技领军人才、江苏省六大人才高峰计划、江苏省333高层次人才等。
三、报 告 人：詹清峰教授
报告题目：外延交换偏置异质结的磁性研究
报告时间：2018年11月30日（星期五）下午16:00
报告地点：格致楼3016报告厅
报告摘要：We have fabricated epitaxial exchange biased (EB) IrMn/FeGa bilayers by oblique deposition and systematically investigated their magnetization reversal. Two different configurations with the uniaxial magnetic anisotropy Ku parallel and perpendicular to the unidirectional anisotropy Keb were obtained by controlling the orientation of the incident FeGa beam during deposition. A large ratio of Ku/Keb was obtained by obliquely depositing FeGa layer to achieve a large Ku whilst reducing the IrMn thickness to obtain a small Keb. Besides the previously reported square loops, conventional asymmetrically shaped loops, and one-side and two-side two-step loops, the unusual asymmetrically shaped loops with three-step magnetic transition for the descending branch and two-step transition for the ascending branch and the biased three-step loops were observed at various field orientations in the films of both IrMn(tIrMn = 1.5 to 20 nm)/FeGa(10 nm) with Ku ⊥ Keb and IrMn(tIrMn ≤ 2 nm)/FeGa(10 nm) with Ku ∥ Keb. Considering the geometries of anisotropies, a model based on domain wall nucleation and propagation was employed to quantitatively describe the angular dependent behaviors of IrMn/FeGa bilayers. The biased three-step magnetic switching was predicted to takes place when
, where e90° is the 90° domain wall nucleation energy, and the EB leads to the appearance of the unusual asymmetrically shaped hysteresis loops.
报告人简介：詹清峰，1994至2001年在兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室获学士与硕士学位；2006年博士毕业于中科院物理所磁学国家重点实验室；2006至2010年在比利时鲁汶大学固体物理与磁学实验室、美国华盛顿大学材料科学与工程系从事研究工作；2010至2017年，中科院宁波材料所中科院磁性材料与器件重点实验室研究员；2017年10月华东师范大学物理与材料科学学院教授。长期从事磁性薄膜的制备与磁各向异性的控制及其在高频、传感、存储的应用基础研究，发表SCI 期刊论文80 余篇，申请国家专利17项。主持国家自然科学基金面上项目四项、优秀青年基金一项。
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
兰州大学电镜中心
兰州大学物理科学与技术学院
2018年11月27日
