应兰州大学萃英学院、物理科学与技术学院邀请，吉林大学张源涛教授将于2020年12月29日来我院做报告。欢迎全校师生积极参加！

报告题目：氮极性GaN薄膜外延生长研究

报告人：张源涛

时间：2020年12月29日 上午10:30

地点：格致楼3016报告室

邀请人：栗军帅

报告摘要：

III族氮化物材料由于其在发光器件和电子器件方面的应用而被广泛研究。六方纤锌矿结构的氮化物材料沿着c轴是不对称的，存在自发极化效应，沿着+c轴即<0001>方向外延的GaN薄膜称为镓极性GaN薄膜，沿着-c轴即方向外延的GaN薄膜称为氮极性GaN薄膜。与镓极性材料相比，氮极性材料在器件制备方面具有独特优势。然而，氮极性GaN薄膜的外延生长较为困难，阻碍了氮极性GaN基器件性能的提升。

本研究工作中，我们采用MOCVD技术外延生长III族氮化物材料，在蓝宝石和SiC衬底以及二维材料石墨烯上实现了高质量氮极性GaN薄膜的可控生长。同时，我们对氮极性AlGaN薄膜的极化诱导p型掺杂进行了研究，获得了高空穴弄的的p型AlGaN薄膜，空穴浓度可达1×10¹⁸ cm^-3。此外，基于高质量氮极性氮化物材料和氮极性AlGaN极化诱导p型掺杂技术，我们在国际上首次实现了氮极性隧穿结LED的制备。以上相关工作对促进高性能氮化物器件发展具有重要意义。

报告人简介：

张源涛，吉林大学教授、博士生导师，集成光电子学国家重点实验室副主任，教育部新世纪人才，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会委员。曾长期在德国和日本从事宽禁带半导体科学研究工作。2006年2月至2007年2月，德国德累斯顿工业大学应用物理研究所洪堡学者（Humboldt fellow）。2008年8月至2010年3月日本东北大学金属材料研究所JST-CREST研究员。2010年4月至2012年5月日本东北大学金属材料研究所日本学术振兴会外国人特别研究员(JSPS fellow)。主要研究方向：宽禁带半导体材料的外延生长、物理特性及相关光电子器件研究。