主讲人：徐光伟 中国科学技术大学特任副研究员
题目：超宽禁带氧化镓半导体器件研究及应用
时间：2023年 4月18日20:00-21:00
地点：格致楼4022
邀请人：李颖弢
报告摘要：
围绕超宽禁带氧化镓功率电子器件技术，开展了氧化镓表/界面微纳加工工艺研究、高效终端方案设计与研制、新器件结构设计、可应用化模型和电路开发。发展了表面刻蚀、表面保护、界面退火和电偶极子层等工艺方案，解决了氧化镓界面缺陷高以及无终端结构器件性能差的问题。设计了热氧高阻终端、结终端拓展、断面终端以及复合终端结构，攻克了氧化镍载流子可控生长、选区热氧工艺、低损伤刻蚀工艺，有效抑制了边缘峰值电场，研制了大电流和高反向阻断能力的氧化镓功率二极管器件。设计并研发了首个氧化镓增强型渐变沟道MOSFET、增强型JFET和UMOSFET。建立了统一的紧凑模型，将模型写入SPICE中，成功搭建并实现了全波整流器电路和升压电路，验证了超宽禁带氧化镓功率电子器件极好的应用前景。
个人简介：
徐光伟，博士，中国科学技术大学副研究员，2012年本科毕业于兰州大学；2017年，博士业于中国科学院微电子研究所；2017-2019年 加利福尼亚大学洛杉矶分校（UCLA）博后。主要从事超宽禁带氧化镓半导体工艺、器件、模型和电路应用方面的研究。相关成果发表于IEEE IEDM、ISPSD、IEEE EDL、IEEE TED和APL等，总引用1800余次，H指数21。
