主讲人：韩秀峰 研究员（中国科学院物理研究所）

题目： 从《微电子学》到《自旋电子学》和《磁子学》

时间：2023年4月23日(星期日) 15:00--17:00

地点：榆中校区 秦岭堂B110

邀请人： 魏晋武

报告摘要：

自旋电子学和磁子学将对信息科学与技术的发展起到显著的推动作用。该报告将重点简述《自旋电子学》中的隧穿磁电阻(TMR)和量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)等新奇自旋量子效应、到《磁子学》中的磁子阀效应(MVE)和磁子结效应(MJE)及磁子转移力矩(MTT)等新奇磁子量子效应研究，并简介相关磁异质结材料及其自旋/磁子量子效应在关键元器件方面的代表性应用。如：磁随机存储器(MRAM)、自旋逻辑、磁敏传感器、自旋纳米振荡器和微波探测器、自旋随机数字发生器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管及新型磁子发生器/探测器、磁子阀、磁子结和磁子晶体管等等，可为计算机、物联网、人工智能、工业与民品、航空航天、深海探测、心磁和脑磁成像与医疗检测等技术的可持续发展奠定物理与器件基础。

个人简介：

中科院物理所研究员、博导。1984年兰州大学物理系毕业、1993年在吉林大学获博士学位。1998至2002年先后在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院等处从事自旋电子学研究。2003年获国家杰出青年基金资助；2007年获国家基金委创新研究群体基金资助；2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。现任国际学术期刊JMMM副主编、SPIN和Sensors等杂志编委。主要从事磁学、自旋电子学和磁子学研究；发表SCI学术论文400余篇；获中国发明和国际专利授权100余项；有国际学术会议邀请报告70余次；主编《自旋电子学导论》、参与撰写《Handbook of Spintronics》等4部专著。其研究团队与合作者迄今为止已发现、提出或实验观测到10种新奇自旋量子效应，包括：量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)、自旋相关库伦阻塞磁电阻(CBMR)、磁子阀效应(MVE)、磁子结效应(MJE)、磁子阻塞效应(MBE)、磁子非局域自旋霍尔磁电阻(MNSMR)效应、磁子转移力矩(MTT)效应、磁子共振隧穿(MRT)效应、磁子趋肤效应(MSE)、磁子辅助的电流拖拽(MECD)效应等。研制出10余种新型自旋电子学和磁子学原型器件，包括：纳米环和纳米椭圆环磁随机存储器(STT-MRAM)原型器件或演示芯片；纳米环自旋振荡器/自旋微波探测器、纳米环自旋随机数字发生器、非易失性多功能可编程SOT自旋逻辑和SOT自旋存储器、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管等原型器件；一种TMR磁电阻磁敏传感器中试器件；一类新型磁子阀、磁子结和磁子发生器/探测器等。获2013年北京市科学技术一等奖、2018年亚洲磁学联盟奖(AUMS Award 2018)。